1N5450A,1N5450A pdf中文资料,1N5450A引脚图,1N5450A电路-Datasheet-电子工程世界

1N5450A: 产品描述Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-204AA; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小48KB，共1页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com

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1N5450A概述

Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-204AA

1N5450A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	30 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管电容容差	10%
最小二极管电容比	2.6
标称二极管电容	33 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带	ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码	DO-204AA
JESD-30 代码	O-LALF-W2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.4 W
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	350
最大重复峰值反向电压	30 V
最大反向电流	0.02 µA
反向测试电压	25 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
变容二极管分类	ABRUPT
Base Number Matches	1

1N5450A相似产品对比

	1N5450A	G3RV-SR700/500-ADC12V	1N5140A	1N5147A	1N5443A	1N5452A	1N5141
描述	Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-204AA	Global standard size, low profile slim (6.2 mm width) I/O relays	Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt, DO-204AA	Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 39pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt, DO-204AA,	Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 10pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-204AA	Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 47pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-204AA	Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 12pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt, DO-204AA
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	-	不符合	不符合
包装说明	O-LALF-W2	-	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	-	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最小击穿电压	30 V	-	60 V	60 V	30 V	30 V	60 V
外壳连接	ISOLATED	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管电容容差	10%	-	5%	5%	10%	10%	10%
最小二极管电容比	2.6	-	2.8	3.2	2.6	2.6	2.8
标称二极管电容	33 pF	-	10 pF	39 pF	10 pF	47 pF	12 pF
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	-	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带	ULTRA HIGH FREQUENCY	-	HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY	HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY	ULTRA HIGH FREQUENCY	ULTRA HIGH FREQUENCY	HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码	DO-204AA	-	DO-204AA	DO-204AA	DO-204AA	DO-204AA	DO-204AA
JESD-30 代码	O-LALF-W2	-	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	-	1	1	1	1	1
端子数量	2	-	2	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	-	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	GLASS	-	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS
封装形状	ROUND	-	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	-	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.4 W	-	0.4 W	0.4 W	0.4 W	0.4 W	0.4 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最小质量因数	350	-	300	200	400	250	300
最大重复峰值反向电压	30 V	-	60 V	60 V	30 V	30 V	60 V
最大反向电流	0.02 µA	-	0.02 µA	0.02 µA	0.02 µA	0.02 µA	0.02 µA
反向测试电压	25 V	-	55 V	55 V	25 V	25 V	55 V
表面贴装	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	-	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	-	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
变容二极管分类	ABRUPT	-	ABRUPT	ABRUPT	ABRUPT	ABRUPT	ABRUPT
Base Number Matches	1	-	1	1	1	1	-

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