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1N5441B

产品描述Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小13KB,共1页
制造商Cobham PLC
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1N5441B概述

Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

1N5441B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比2.5
标称二极管电容6.8 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数450
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流2e-8 µA
反向测试电压25 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1

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K
NOX
S
EMICONDUCTOR,
I
NC.
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5441 TO 1N5476
TYPE
NUMBER
1N5441
1N5442
1N5443
1N5444
1N5445
1N5446
1N5447
1N5448
1N5449
1N5450
1N5451
1N5452
1N5453
1N5454
1N5455
1N5456
♦1N5461
♦1N5462
♦1N5463
♦1N5464
♦1N5465
♦1N5466
♦1N5467
♦1N5468
♦1N5469
♦1N5470
♦1N5471
♦1N5472
♦1N5473
♦1N5474
♦1N5475
♦1N5476
CAPACITANCE
@ - 4 Vdc • 1 MHz
(pF)
6.8
8.2
10.0
12.0
15.0
18.0
20.0
22.0
27.0
33.0
39.0
47.0
56.0
68.0
82.0
100.0
6.8
8.2
10.0
12.0
15.0
18.0
20.0
22.0
27.0
33.0
39.0
47.0
56.0
68.0
82.0
100.0
TUNING RATIO
C•2 V / C•30V
MIN
MAX
2.5
3.1
2.5
3.1
2.6
3.1
2.6
3.1
2.6
3.1
2.6
3.1
2.6
3.1
2.6
3.2
2.6
3.2
2.6
3.2
2.6
3.2
2.6
3.2
2.6
3.3
2.7
3.3
2.7
3.3
2.7
3.3
2.7
2.8
2.8
2.8
2.8
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.3
3.3
3.3
3.3
MIN QUALITY FACTOR
Q @ - 4 Vdc
f = 50 MHz
450
450
400
400
400
350
350
350
350
350
300
250
200
175
175
175
600
600
550
550
550
500
500
500
500
500
450
400
300
250
225
200
Package style
DC Power Dissipation
Min Reverse Breakdown Voltage
Max Reverse Current (I
R
)
Max Reverse Current (I
R2
)
Temp. Coefficient of Capacitance
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Capacitance Tolerance
@ Ta = 25°C
@ I
R
= 10 µA
@ 25 Vdc
@ 25 Vdc 150°C
@ Vr -4 Vdc, Ta -65° to + 85°c
Standard Device
Suffix A
Suffix B
Suffix C
DO-7
400 mW
30 V
0.02 µA
20 µA
.04% /°C
-65 to +175°C
-65 to +200°C
±20%
±10%
±5%
±2%
DENOTES MILITARY APPROVAL FOR JAN - JANTX – JANTXV (B & C Tolerance only)
P.O. BOX 609 • ROCKPORT, MAINE 04856
• 207•236•6076
FAX 207•236•9558
-25-
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