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SMLG110R3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, DIP-14
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小22KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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SMLG110R3概述

Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, DIP-14

SMLG110R3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明IN-LINE, R-XDIP-T14
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)75 mJ
配置SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻0.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDIP-T14
JESD-609代码e3
元件数量4
端子数量14
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)4 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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SMLG110
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
19.507 ± 0.432
(0.768 ± 0.017)
2.134
(0.084)
0.457 ± 0.102
(0.018 ± 0.004)
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD
N-CHANNEL
POWER MOSFETS
BV
DSS
±100V
1A
0.7Ω
9.525 ± 0.635
(0.375 ± 0.025)
6.426 ± 0.305
(0.253 ± 0.012)
14
8
ID
(cont)
RDS
(on)
FEATURES
1
7
• AVALANCHE ENERGY RATED
• HERMETICALLY SEALED
• DYNAMIC dv/dt RATING
1.422 ± 0.102
(0.056 ± 0.004)
2.54
(0.100)
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
• FOR AUTOMATIC INSERTION
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
• EASE OF PARALLELING
• 4 N-CHANNEL CO-PACKAGED HEXFETS
• LIGHTWEIGHT
14 LEAD MOULDED DIP PACKAGE
N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
1—Drain 1
2—Source 1
3—Gate 1
11,4—NC
5—Gate 2
6—Source 2
7—Drain 2
8—Drain 3
9—Source3
10—Gate 3
12—Gate 4
13—Source 4
14—Drain 4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv/dt
T
J
, T
stg
R
θJC
R
θJCA
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current
(V
GS
= 10V , T
case
= 25°C)
Continuous Drain Current
(V
GS
= 10V , T
case
= 100°C)
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
2
Peak Diode Recovery
3
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction-to-Ambient
±20V
1.A
0.6A
4A
1.4W
0.011W/°C
75mJ
5.5V/ns
–55 to 150°C
6.25°C/W
175°C/W
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width
300µs,
δ ≤
2%
2) @ V
DD
= 25V , L
112mH , R
G
= 25Ω , Peak I
L
= 1A , Starting T
J
= 25°C
3) @ I
SD
1A , di/dt
75A/µs , V
DD
BV
DSS
, T
J
150°C , Suggested R
G
= 24Ω
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Document Number 5830
Issue 1

SMLG110R3相似产品对比

SMLG110R3
描述 Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, DIP-14
是否Rohs认证 符合
厂商名称 TT Electronics plc
包装说明 IN-LINE, R-XDIP-T14
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 75 mJ
配置 SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 1 A
最大漏源导通电阻 0.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XDIP-T14
JESD-609代码 e3
元件数量 4
端子数量 14
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 4 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
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