Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N3881RHR

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1N3881RHR: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-4; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小428KB，共3页; 制造商Digitron; 官网地址http://www.digitroncorp.com

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1N3881RHR概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-4

1N3881RHR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Digitron
包装说明	O-MUPM-D1
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY
应用	FAST RECOVERY
最小击穿电压	200 V
外壳连接	ANODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.4 V
JEDEC-95代码	DO-4
JESD-30 代码	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	1
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	6 A
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
参考标准	MIL-19500
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向电流	15 µA
最大反向恢复时间	0.2 µs
反向测试电压	200 V
表面贴装	NO
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER
Base Number Matches	1

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High-reliability discrete products

and engineering services since 1977

FEATURES



1N3879-1N3883

FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER

Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.

Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.

MAXIMUM RATINGS

Parameters

Working peak reverse voltage

Peak repetitive reverse voltage

Operating temperature range

Storage temperature range

Maximum thermal resistance

Mounting torque

Weight

Add “R” to part numbers for reverse polarity.

Symbol

RWM

RRM

stg

θJC

1N3879

50V

1N3880

100V

1N3881

200V

-65 to +150°C

-65 to +175°C

1N3882

300V

1N3883

400V

2.0°C/W junction to case

12-15 inch pounds

.16 ounces (5.0 grams) typical

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

= 25°C unless otherwise specified)

Parameters

Average forward current

Maximum surge current

Maximum peak forward voltage

Maximum peak reverse current

Maximum reverse recovery time

Typical junction capacitance



Pulse test: pulse width 300µsec. Duty cycle 2%

Symbol

F(AV)

FSM

Value

6 Amps

200 Amps

1.40 Volts

15 µA

3.0 mA

200nS

115pF

Test Condition

= 100°C, square wave, R

θJC

= 2.0°C/W

8.3ms, half-sine, T

= 100°C

= 20A: T

= 25°C*

RRM

, T

= 25°C

RRM

, T

= 150°C

= 1A dc, V

= 30V, di/dt = 25A/µs, T

= 55°C

= 10V, f = 1MHz, T

= 25°C

Rev. 20150317

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