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1N658X

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB,共3页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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1N658X概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon,

1N658X规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压120 V
最大反向电流0.05 µA
最大反向恢复时间0.3 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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