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1N3879RHR

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小428KB,共3页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
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1N3879RHR概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4

1N3879RHR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
应用FAST RECOVERY
最小击穿电压50 V
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JEDEC-95代码DO-4
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
参考标准MIL-19500
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流15 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
反向测试电压50 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
FEATURES
1N3879-1N3883
FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.
MAXIMUM RATINGS
Parameters
Working peak reverse voltage
Peak repetitive reverse voltage
Operating temperature range
Storage temperature range
Maximum thermal resistance
Mounting torque
Weight
Add “R” to part numbers for reverse polarity.
Symbol
V
RWM
V
RRM
T
J
T
stg
R
θJC
1N3879
50V
50V
1N3880
100V
100V
1N3881
200V
200V
-65 to +150°C
-65 to +175°C
1N3882
300V
300V
1N3883
400V
400V
2.0°C/W junction to case
12-15 inch pounds
.16 ounces (5.0 grams) typical
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameters
Average forward current
Maximum surge current
Maximum peak forward voltage
Maximum peak reverse current
Maximum peak reverse current
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Pulse test: pulse width 300µsec. Duty cycle 2%
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
FM
I
RM
I
RM
t
RR
C
J
Value
6 Amps
200 Amps
1.40 Volts
15 µA
3.0 mA
200nS
115pF
Test Condition
T
C
= 100°C, square wave, R
θJC
= 2.0°C/W
8.3ms, half-sine, T
C
= 100°C
I
FM
= 20A: T
J
= 25°C*
V
RRM
, T
J
= 25°C
V
RRM
, T
J
= 150°C
I
F
= 1A dc, V
R
= 30V, di/dt = 25A/µs, T
C
= 55°C
V
R
= 10V, f = 1MHz, T
J
= 25°C
Rev. 20150317

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