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JANS1N5309UR-1

产品描述Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
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JANS1N5309UR-1在线购买

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JANS1N5309UR-1概述

Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

JANS1N5309UR-1规格参数

参数名称属性值
包装说明O-XELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型CURRENT REGULATOR DIODE
JEDEC-95代码DO-213AB
JESD-30 代码O-XELF-R2
膝阻抗最大值29000 Ω
最大限制电压2.25 V
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/463G
标称调节电流 (Ireg)3 mA
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术FIELD EFFECT
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

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• 1N5283UR-1 THRU 1N5314UR-1 AVAILABLE IN
JAN
,
JANTX, JANTXV AND JANS 1N5283UR-1 thru 1N5314UR-1
PER MIL-PRF-19500/463
• CURRENT REGULATOR DIODES
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
• METALLURGICALLY BONDED
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
and
CDLL5283 thru CDLL5314
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ +75°C @ TEC = +125°C
Power Derating: 10 mW / °C above TEC = +125°C
Peak Operating Voltage: 100 Volts
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified
CDI
TYPE
NUMBER
NOM
CDLL5283
CDLL5284
CDLL5285
CDLL5286
CDLL5287
CDLL5288
CDLL5289
CDLL5290
CDLL5291
CDLL5292
CDLL5293
CDLL5294
CDLL5295
CDLL5296
CDLL5297
CDLL5298
CDLL5299
CDLL5300
CDLL5301
CDLL5302
CDLL5303
CDLL5304
CDLL5305
CDLL5306
CDLL5307
CDLL5308
CDLL5309
CDLL5310
CDLL5311
CDLL5312
CDLL5313
CDLL5314
0.22
0.24
0.27
0.30
0.33
0.39
0.43
0.47
0.56
0.62
0.68
0.75
0.82
0.91
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.80
2.00
2.20
2.40
2.70
3.00
3.30
3.60
3.90
4.30
4.70
REGULATOR CURRENT
l p (mA) @ VS = 25V
MIN
0.198
0.216
0.243
0.270
0.297
0.351
0.387
0.423
0.504
0.558
0.612
0.675
0.738
0.819
0.900
0.990
1.08
1.17
1.26
1.35
1.44
1.62
1.80
1.98
2.16
2.43
2.70
2.97
3.24
3.51
3.87
4.23
MAX
0.242
0.264
0.297
0.330
0.363
0.429
0.473
0.517
0.616
0.682
0.748
0.825
0.902
1.001
1.100
1.210
1.32
1.43
1.54
1.65
1.76
1.98
2.20
2.42
2.64
2.97
3.30
3.63
3.96
4.29
4.73
5.17
MINIMUM
DYNAMIC
IMPEDANCE
@VS = 25V
ZS (MΩ)
(Note 1)
25.0
19.0
14.0
9.0
6.6
4.10
3.30
2.70
1.90
1.55
1.35
1.15
1.00
0.880
0.800
0.700
0.640
0.580
0.540
0.510
0.475
0.420
0.395
0.370
0.345
0.320
0.300
0.280
0.265
0.255
0.245
0.235
MINIMUM
KNEE
IMPEDANCE
@VK = 6.0 V
ZK (MΩ)
(Note 2)
2.75
2.35
1.95
1.60
1.35
1.00
0.870
0.750
0.560
0.470
0.400
0.335
0.290
0.240
0.205
0.180
0.155
0.135
0.115
0.105
0.092
0.074
0.061
0.052
0.044
0.035
0.029
0.024
0.020
0.017
0.014
0.012
MAXIMUM
LIMITING
VOLTAGE
@ lL = 0.8 lp (min)
VL (VOLTS)
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.05
1.05
1.05
1.10
1.13
1.15
1.20
1.25
1.29
1.35
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
1.65
1.75
1.85
1.95
2.00
2.15
2.25
2.35
2.50
2.60
2.75
2.90
MILLIMETERS
DIM MIN MAX
D
2.39
2.66
F
0.41
0.55
G
4.80
5.20
G1
4.11 REF.
S
0.03 MIN.
INCHES
MIN MAX
.094 .105
.016 .022
.189 .205
.159 REF.
.001 MIN.
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
DO-213AB, Hermetically sealed
glass case. (MELF, LL41)
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
50 ˚C/W maximum at L = 0 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 25
˚C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end negative.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
NOTE 1
NOTE 2
ZS is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of VS on VS
ZK is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of VK on VK
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
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