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MURA140T3G: 产品描述1.0 Ampere Surface Mount Type Ultra Fast Recovery Rectifier Diode; 文件大小266KB，共2页; 制造商Thinki Semiconductor Co.,Ltd.; 官网地址http://www.thinkisemi.com/

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1.0 Ampere Surface Mount Type Ultra Fast Recovery Rectifier Diode

STM8S库函数之用的疑问: 情况是这样的，我用了GPIO,CLK,FLASH,IWDG,AUW,TIME1,TIME4,TIME2,但是都只有初始化函数；在STM8S_CONFIG没有用的，我都没有定义。但是在程序编译时，竟然把没有用到的函数都编译到了，所以FLASH很大，大约有6663Byte。请问大家有没有好的办法，让没有用到的库函数不编译呢？？？？请各个仁兄指点。。。。。。。。。。。。。。...; skitfcw stm32/stm8

MAX2140内部ESD二极管的保护电路设计: 在对MAX2140 SDARS接收器进行热插拔操作(接通电源或断开电源)时，可能使其内部静电放电(ESD)保护二极管失效，热插拔不是该器件的标准操作。但这种情况会发生在很多应用中，尤其是在汽车工业中，经常会进行热插拔的操作。本文分析了热插拔操作可能造成ESD二极管失效的原因，并帮助设计合理的电路来预防二极管的失效。概述在进行装配、测试和故障处理时，有时需要对MAX2140 SDARS接收器进行非标...; rain 模拟电子

输入捕获的计数器周期是怎么算的: Atmega128T/C1输入捕获功能计数器是16位的，即65535 那么计数器从0走到65535是怎么算的1024预分频 8MHz请问如果计数器走到1000发送了输入捕获中断，得到的ICR1=1000。这个值和周期有什么样的数学关系呢？问题很简单望懂的告诉下谢谢...; 无敌小青年 Microchip MCU

从设计上延长手机电池寿命: 好像手机电池的寿命还不够短，如果处理不好漏泄功率的话，频繁的充电可能会成为向高级处理系统的升级的障碍。　　正常操作时，当某个IC设备处于激活状态（比如当某人正在使用手机打电话）时，它会产生动态功率。当该设备被关闭时，漏泄功率仍能将电池耗尽。在180、130、甚至90纳米工艺中，漏泄功率只是动态功率的一小部分，这样当电池继续被消耗时，消耗速率极低。　　ZenasisTechnologies的首...; fighting 单片机

无线通信接收与发射机: [i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 04:13 编辑 [/i][align=center][font=Times New Roman][color=#000000]2012年大学生电子设计竞赛黑龙江赛区TI杯竞赛题[/color][/font][/align][align=center][color=#000000][b][font=Times New Roman]G...; wateras1 电子竞赛

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