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LMUN5114DW1T1G

产品描述SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小345KB,共12页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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LMUN5114DW1T1G概述

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

LMUN5114DW1T1G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量2
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.385 W
表面贴装YES
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

LMUN5114DW1T1G相似产品对比

LMUN5114DW1T1G LMUN5137DW1T1G LMUN5136DW1T1G LMUN5135DW1T1G LMUN5132DW1T1G LMUN5133DW1T1G LMUN5130DW1T1G LMUN5131DW1T1G
描述 SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 LRC LRC LRC LRC LRC LRC LRC LRC
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 80 80 80 80 15 80 3 8
元件数量 2 2 2 2 2 2 2 2
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.385 W 0.385 W 0.385 W 0.385 W 0.385 W 0.385 W 0.385 W 0.385 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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