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1N5808

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 75V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB,共1页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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1N5808概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 75V V(RRM), Silicon,

1N5808规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.875 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

1N5808相似产品对比

1N5808 1N5811
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 75V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 150V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Bkc Semiconductors Inc Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Code unknown unknown
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.875 V 0.875 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最大输出电流 6 A 6 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 5 W 5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 75 V 150 V
最大反向电流 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
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