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1N1199RA

产品描述12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小32KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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1N1199RA概述

12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA

1N1199RA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.35 V
JEDEC-95代码DO-203AA
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流240 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流12 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流3000 µA
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

1N1199RA相似产品对比

1N1199RA GRM21A5C2D820JW01 GRM21A5C2E110JW01
描述 12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA Chip Monolithic Ceramic Capacitor for General Chip Multilayer Ceramic Capacitors for General Purpose
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