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1N463A

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小37KB,共1页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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1N463A概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,

1N463A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流0.5 µA
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

1N463A相似产品对比

1N463A 1N461A 1N462A
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Bkc Semiconductors Inc Bkc Semiconductors Inc Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.4 W 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 30 V 70 V
最大反向电流 0.5 µA 0.05 µA 0.5 µA
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
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