Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> JAN1N645

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JAN1N645: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 225V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小8KB，共1页; 制造商Bkc Semiconductors Inc

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JAN1N645概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 225V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN

JAN1N645规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Bkc Semiconductors Inc
包装说明	SIMILAR TO DO-35, 2 PIN
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-XALF-W2
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	15 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	0.15 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500/240J
最大重复峰值反向电压	225 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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The documentation and process conversion measures

necessary to comply with this amendment shall be

completed by 16 May 2001.

INCH POUND

MIL-PRF-19500/240H

AMENDMENT 1

16 February 2001

PERFORMANCE SPECIFICATION

SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, RECTIFIER,

TYPES 1N645-1, 1N647-1, 1N649-1, 1N645UR-1, 1N647UR-1, 1N649UR-1

JAN, JANTX, AND JANTXV

JANS1N645-1, JANS1N647-1 and JANS1N649-1 are no longer processed to this specification. The

preferred replacement part numbers are JANS1N6661, JANS1N6662, JANS1N6663. Devices

processed to MIL-S-19500/587 as JANS1N6661, JANS1N6662, JANS1N6663 may be alternately

marked as JANS1N645-1, JANS1N647-1 and JANS1N649-1 see 3.4.3.

This amendment forms a part of MIL-PRF-19500/240H, dated 24 February 2000 and

is approved for use by all Departments and Agencies of the Department of Defense.

PAGE 1

Replacement part note, delete last sentence.

PAGE 6

4.3.1, delete conditions information and substitute:

“

Type (1)

Method 1038 of

MIL-STD-750

condition B TA = +125

f = 60 Hz, (see 4.5.2)

1N645-1

1N647-1

1N649-1

VR = 225 V(pk),

IO = 200 mA

VR = 400 V(pk), IO = 200

VR = 600 V(pk), IO = 200

Method 1038 of

MIL-STD-750

condition B TA = +25

f = 60 Hz, (see 4.5.2)

VR = 225 V(pk),

IO = 400 mA

VR = 400 V(pk), IO =

400 mA

VR = 600 V(pk), IO =

400 mA

Method 1038 of

MIL-STD-750

condition B

TA = +125

IF = 200 mA

Method 1038 of

MIL-STD-750

condition B

TA = +25

IF = 400 mA

(1) Electrical characteristics for UR suffix devices are identical to the corresponding non-UR suffix devices unless

otherwise specified. "

Custodians:

Army - CR

Navy - EC

Air Force - 11

DLA - CC

Review activities:

Army - AR, AV, MI

Navy - AS, CG, MC

AMSC N/A

1 of 1

DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

FSC 5961

Preparing activity:

DLA - CC

(Project 5961-2425)

JAN1N645相似产品对比

	JAN1N645	JAN1N647
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 225V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 400V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Bkc Semiconductors Inc	Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Code	unknown	unknown
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-XALF-W2	O-LALF-W2
JESD-609代码	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	15 A	3 A
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	175 °C	150 °C
最大输出电流	0.15 A	0.4 A
封装主体材料	UNSPECIFIED	GLASS
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	225 V	400 V
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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