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1N5405G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, DO-27,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小113KB,共2页
制造商Rugao Dachang Electronics Co Ltd
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1N5405G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, DO-27,

1N5405G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rugao Dachang Electronics Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压500 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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SIYU
R
1N5400G ...... 1N5408G
General Purpose Plastic Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000 V
Forward Current 3.0 A
特征
Features
·玻璃钝化芯片
Glass Passivated chip
·反向漏电流½
Low reverse leakage
.052(1.3)
DIA
.048(1.2)
普通塑封整流二极管
反向电压
50 --- 1000 V
正向电流
3.0 A
DO-27
1.0(25.4)
MIN
.375(9.5)
.335(8.5)
.220(5.6)
DIA
.197(5.0)
1.0(25.4)
MIN
·正向浪涌承受½力较强
High forward surge capability
·高温焊接保证
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10
秒,
0.375" (9.5mm)引线长度。
260℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
·引线可承受5 磅
(2.3kg)
拉力。
5 lbs. (2.3kg) tension
·引线和管½皆符合ROHS标准 。
Lead and body according with ROHS standard
机械数据
Mechanical Data
Unit:inch(mm)
·端子: 镀锡½向引线
Terminals: Plated axial leads
·极性: 色环端为负极
Polarity: Color band denotes cathode end
·安装½½: 任意
Mounting Position: Any
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
单½
5400G 5401G 5402G 5403G5404G 5405G 5406G 5407G 5408G
Unit
Symbols
最大可重复峰值反向电压
M a x im u m r e p e t it iv e p e a k r e v e r s e v o lt a g e
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
TJ, TSTG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
3.0
125
20
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
最大均方根电压
M a x im u m R M S v o l ta g e
最大直流阻断电压
M a x im u m D C b lo c k i n g v o l ta g e
最大正向平均整流电流
M a x im u m a v e r a g e f o r w a r d r e c t if ie d c u r r e n t
A
A
℃/W
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
典型热阻
Ty p ic a l t h e r m a l r e s is ta n c e
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55
---
+150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
单½
5400G 5401G 5402G 5403G 5404G 5405G 5406G 5407G 5408G
Unit
Symbols
符号
V
F
I
R
最大正向电压
Maximum forward voltage
I
F
= 3.0A
TA= 25℃
TA=125℃
1.1
10
200
30
V
μA
pF
最大反向电流
Maximum reverse current
典型结电容
V
R
=
4.0V, f = 1MHz
Type junction capacitance
Cj
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS

1N5405G相似产品对比

1N5405G GJM1555C1H6R1CB01
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, DO-27, Chip Monolithic Ceramic Capacitor High-Q Type for General
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