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1N5403G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
标准
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1N5403G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

1N5403G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Gulf Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流180 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N5400G THRU 1N5408G
GLASS PASSIVATED
JUNCTION RECTIFIER
VOLTAGE: 50V to 1000V
CURRENT: 3.0A
FEATURE
Molded case feature for auto insertion
High current capability
Low leakage current
High surge capability
High temperature soldering guaranteed
250°C /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension
Glass Passivated chip
DO - 201AD
MECHANICAL DATA
Terminal: Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame
Retardant Epoxy
Polarity: color band denotes cathode
Mounting position: any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,
for capacitive load, derate current by 20%)
Symbol
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
C
Current 3/8" lead length at T
L
=105°
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
Maximum Instantaneous Forward Voltage at
rated forward current
Maximum full load reverse current full cycle at
T
L
=75°
C
Maximum DC Reverse Current
Ta =25°
C
at rated DC blocking voltage
Ta =100°
C
Typical Junction Capacitance
(Note 1)
Typical Thermal Resistance
(Note 2)
Storage and Operating Junction Temperature
Note:
1. Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.375" lead length, P.C. Board Mounted
Vrrm
Vrms
Vdc
If(av)
Ifsm
Vf
Ir(av)
Ir
Cj
Rth(ja)
Tstg, Tj
1N5
400
G
50
35
50
1N5
401
G
100
70
100
1N5
402
G
200
140
200
1N5
403
G
300
210
300
1N5
404
G
400
280
400
3.0
180
1.1
30.0
1N5
405
G
500
350
500
1N5
406
G
600
420
600
1N5
407
G
800
560
800
1N5
408
G
1000
700
1000
units
V
V
V
A
A
V
µA
µA
pF
°
C/W
°
C
5.0
300.0
40
30
-55 to +150
Rev.A2
www.gulfsemi.com

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1N5403G GRM155R71H392MA01
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