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UZTX1147A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB,共4页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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UZTX1147A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, E-LINE PACKAGE-3

UZTX1147A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)90
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)115 MHz
Base Number Matches1

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 1 - JANUARY 1997
FEATURES
* V
CEO
= -12V
* 4 Amp Continuous Current
* 20 Amp pulse Current
* Low Saturation Voltage
* High Gain
ZTX1147A
C
B
E
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
-15
-12
-5
-20
-4
-500
1
-55 to +200
UNIT
V
V
V
A
A
mA
W
°C

 
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