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1N645-1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
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1N645-1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN

1N645-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
包装说明SIMILAR TO DO-35, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.15 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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• AVAILABLE IN
JAN, JANTX,
AND
JANTXV
PER MIL-PRF-19500/240
• SILICON RECTIFIER
• METALLURGICALLY BONDED
1N645-1
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Operating Current: 400 mA @ 25°C
150 mA @ 150°C
Derating: 2.0 mA/°C From 25°C to 150°C
6.0 mA/°C From 150°C to 175°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified
TYPE
VRSM
V RWM
I FSM
TP = 1/120 s
TA = 25°C
V (pk)
1N645-1
270
V (pk)
225
A
5
V DC
0.8 - 1.0
pF
20
VF
@400mA
CAP @
V R = 4V
FIGURE 1
TYPE
I R1 at V RWM I R2 at V RWM I R3 at V RSM
TA = 25°C
TA = 150°C
TA = 25°C
µA
1N645-1
0.05
µA
25
µA
50
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed glass
case. DO – 35 outline.
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
250 ˚C/W maximum
THERMAL IMPEDANCE: (ZO
JX): 35
˚C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING POSITION:
ANY.
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com

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