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1N6639

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小79KB,共1页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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1N6639概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,

1N6639规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流2.5 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.625 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

1N6639相似产品对比

1N6639 1N6641 1N6640
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.1 V 1.1 V
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 2.5 A 2.5 A 2.5 A
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 0.3 A 0.3 A 0.3 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.625 W 0.625 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 75 V 75 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.005 µs 0.004 µs
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 Bkc Semiconductors Inc Bkc Semiconductors Inc -
Is Samacsys N N -
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