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JAN1N5807US

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB,共1页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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JAN1N5807US概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon,

JAN1N5807US规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性HIGH SURGE CAPABILITY
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.875 V
JESD-30 代码O-MELF-R2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/477
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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