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1N6633US

产品描述Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
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1N6633US概述

Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, 2 PIN

1N6633US规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压3.6 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差5%
工作测试电流350 mA
Base Number Matches1

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• AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV,
AND
JANS
PER MIL-PRF-19500/356
• 5 WATT ZENER DIODES
• NON CAVITY CONSTRUCTION
• METALLURGICALLY BONDED
1N6632US
THRU
1N6637US
AND
1N5968US
AND
1N5969US
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Power Dissapation: 5W @ TEC=+125°C
Power Derating: 100mW/°C above TEC=+125°C
Forward Voltage: 1.5 V dc @ IF=1A dc
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified
NOMINAL
TEST
ZENER CURRENT
VOLTAGE
IZT
VZ@IZT
±5%
VOLTS
1N6632US
1N6633US
1N6634US
1N6635US
1N6636US
1N6637US
1N5968US
1N5969US
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
mA
380
350
320
290
260
240
220
220
OHMS
3.0
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
1.0
1.0
OHMS
500
500
500
500
450
400
400
1000
VOLTS
0.90
0.80
0.75
0.70
0.60
0.50
0.4
0.5
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE
TYPE
ZZ@IZT
ZZK(1)
@
IZK=5mA
MAXIMUM REVERSE
LEAKAGE CURRENT
VOLTAGE
DIM
D
F
G
S
SURGE
CURRENT
IZSM
AMPS
20.0
18.7
17.6
16.4
15.3
14.4
20
20
MILLIMETERS
MIN
MAX
3.48
3.76
0.48
0.71
5.08
5.72
0.03MIN.
INCHES
MIN MAX
.137 .148
0.019 0.028
.200 .225
.001MIN.
REGULATION
v
VZ
IR
VR
VOLTS
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
4.28
4.74
FIGURE 1
µ
A
300
250
175
25
20
5
5000
1000
DESIGN DATA
CASE:
D-5B, Hermetically sealed glass
case, PER MIL-PRF 19500/356
LEAD FINISH:
Tin / Lead
NOTE 1
IZK=1.0 mA for 1N5969
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
10 ˚C/W maximum at L = 0
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 3
˚C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) of this device is approximately
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting
Surface System should be selected to
provide a suitable match with this
device.
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com

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描述 Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, 2 PIN Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, 2 PIN AC-DC Converter Battery Protection IC for Single-cell Pack 128M-Bit Mask Rom 64M-BIT MASK ROM RF HIGH FREQUENCY CHIP MONOLITHIC CERAMIC CAPACITOR Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, 2 PIN
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