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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5699A
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1N5699A

产品描述Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB，共1页
制造商Cobham PLC
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1N5699A概述

Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

1N5699A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压65 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比2.8
标称二极管电容12 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数400
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1

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