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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5686
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1N5686

产品描述Variable Capacitance Diode, 18pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小10KB，共1页
制造商Cobham PLC
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1N5686概述

Variable Capacitance Diode, 18pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

1N5686规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压45 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差20%
最小二极管电容比3.2
标称二极管电容18 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数500
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1

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K
NOX
S
EMICONDUCTOR,
INC
.
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5681 TO 1N5709
TYPE
NUMBER
CAPACITANCE
@ - 4Vdc
1 MHz (pF)
MIN QUALITY FACTOR
Q - 4Vdc
F = 50 MHz
CAPACITANCE RATIO
MAX WORKING
2V / 40V
4V / 60V
VOLTAGE
MIN TYP
MIN TYP
(Vdc)
MIN REVERSE
BREAKDOWN VOLTAGE
Ir = 10µA (Vdc)
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Package Style
DC Power Dissipation
Max Reverse Current (I
R
)
Max Reverse Current (I
R2
)
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Capacitance Tolerance:
DO-7
@ Ta = 25°C
@ Ta = 150°C
400 mW
20 nA @ MWV
20 µA @ MWV
-65 to + 175°C
-65 to + 200°C
±20%
Standard Device
P.O. BOX 609 • ROCKPORT, MAINE 04856
• 207•236•6076
•
FAX 207•236•9558
-26-

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