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BUK552-60A

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小353KB,共5页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BUK552-60A概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

BUK552-60A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称North American Philips Discrete Products Div
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)14 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

BUK552-60A相似产品对比

BUK552-60A BUK552-60B
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div
Reach Compliance Code unknown unknown
Is Samacsys N N
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 14 A 13 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 60 W 60 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1
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