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82S129ABEA

产品描述OTP ROM, 256X4, 35ns, Bipolar, CDIP16,
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文件大小102KB,共3页
制造商QP Semiconductor
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82S129ABEA概述

OTP ROM, 256X4, 35ns, Bipolar, CDIP16,

82S129ABEA规格参数

参数名称属性值
厂商名称QP Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T16
内存密度1024 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度4
功能数量1
端子数量16
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256X4
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

82S129ABEA相似产品对比

82S129ABEA
描述 OTP ROM, 256X4, 35ns, Bipolar, CDIP16,
厂商名称 QP Semiconductor
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
Is Samacsys N
最长访问时间 35 ns
JESD-30 代码 R-CDIP-T16
内存密度 1024 bit
内存集成电路类型 OTP ROM
内存宽度 4
功能数量 1
端子数量 16
字数 256 words
字数代码 256
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 256X4
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 BIPOLAR
温度等级 MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL
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