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1N967B-1

产品描述Zener Diode, 18V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小111KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
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1N967B-1概述

Zener Diode, 18V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N967B-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压18 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流7 mA
Base Number Matches1

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• 1N962B-1 THRU 1N986B-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX AND JANTXV
PER MIL-PRF-19500/117
• METALLURGICALLY BONDED
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
1N957 thru 1N986B
and
1N962B-1 thru 1N986B-1
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500 mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.1volts maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C
JEDEC
TYPE
NUMBER
(NOTE 1)
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
V
Z
(NOTE 2)
VOLTS
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
ZENER
TEST
CURRENT
1
ZT
Z
mA
18.5
16.5
15.0
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
ZT
@1
(NOTE 3)
ZT
Z
@1
ZK
ZK
OHMS
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
mA
1.0
.5
.5
.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
1
ZM
mA
55
50
45
41
38
32
31
28
25
24
20
18
16
15
13
12
11
10
9.5
8.8
7.9
7.4
6.8
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.3
lR @ VR
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE
MAX. DC
ZENER
CURRENT
MAX. REVERSE
LEAKAGE CURRENT
OHMS
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
90
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
µ
A
5
5
5
5
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
VOLTS
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11
12
14
15
17
18
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
56
62
69
76
84
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed glass
case. DO – 35 outline.
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
250 ˚C/W maximum at L = .375 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 35
˚C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING POSITION:
Any.
NOTE 1
NOTE 2
NOTE 3
Zener voltage tolerance on "B"suffix is + 5%. Suffix letter A denotes +10%. No Suffix
denotes + 20% tolerance, "C" suffix denotes + 2% and "D" suffix denotes + 1%.
Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at
an ambient temperature of 25°C + 3°C.
Zener impedance is derived by superimposing on 1 A 60Hz rms a.c. current
ZT
equal to 10% of 1
ZT
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
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