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JAN1N937BUR-1

产品描述Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
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JAN1N937BUR-1概述

Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

JAN1N937BUR-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/156M
标称参考电压9 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
电压温度Coeff-Max0.18 mV/°C
最大电压容差5%
Base Number Matches1

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• 1N935BUR-1, 1N937BUR-1 and 1N938BUR-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV AND JANS
PER MIL-PRF-19500/156
• TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
• 9.0 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE
• METALLURGICALLY BONDED, DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
1N935BUR-1 thru 1N938BUR-1
and
CDLL935 thru CDLL938B
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
REVERSE LEAKAGE CURRENT
l
R
= 10
µ
A @ 25°C & V
R
= 6 Vdc
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
CDI
TYPE
NUMBER
ZENER
VOLTAGE
VZ@ I ZT
ZENER
TEST
CURRENT
I ZT
MAXIMUM
VOLTAGE
TEMPERATURE
ZENER
TEMPERATURE
RANGE
IMPEDANCE
STABILITY
ZZT
∆V
ZT
MAXIMUM
(Note 1)
(Note 2)
mV
67
139
184
34
70
92
13
28
37
6.7
13.9
19
°C
0 to + 75
-55 to +100
-55 to +150
0 to + 75
-55 to +100
-55 to +150
0 to + 75
-55 to +100
-55 to +150
0 to + 75
-55 to +100
-55 to +150
EFFECTIVE
TEMPERATURE
COEFFICIENT
MILLIMETERS
INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
D
1.60
1.70 0.063 0.067
F
0.41
0.55 0.016 0.022
G
3.30
3.70 .130 .146
G1
2.54 REF.
.100 REF.
S
0.03 MIN.
.001 MIN.
VOLTS
CDLL935
CDLL935A
CDLL935B
CDLL936
CDLL936A
CDLL936B
CDLL937
CDLL937A
CDLL937B
CDLL938
CDLL938A
CDLL938B
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
OHMS
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
% / °C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
DO-213AA, Hermetically sealed
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH:
Tin / Lead
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING POSITION:
Any.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
NOTE 1
Zener impedance is derived by superimposing on lZTA 60Hz rms a.c. current
equal to 10% of lZT.
The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e.,
the diode voltage will not exceed the specified mV at any discrete temperature
between the established limits, per JEDEC standard No.5.
NOTE 2
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
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