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JAN1N4150UR-1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小227KB,共2页
制造商VPT Inc
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JAN1N4150UR-1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2

JAN1N4150UR-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称VPT Inc
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/231
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

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Silicon Switching Diodes
1N4150UR, 1N4150UR-1 & 1N3600UR
Features
Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/231
Metallurgically Bonded
Hermetically Sealed
Double Plug Construction
Maximum Ratings
Operating & Storage Temperature: -65 °C to +175 °C
Operating Current: 300 mA @ TA = +25 °C
Derating: 2.0 mA dc/°C Above TL = + 75 °C @ L = 3/8”
Surge Current A: 2A (pk) tp = 8.3 mS, VRM = 0
Surge Current B: 4A (pk) tp = 1 us, VRM = 0
Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified)
VBR
TYPE
Number
IR = 10
μA
V dc
1N3600UR
1N4151UR, -1
75
75
V (pk)
50
50
VRWM
IR1
VR = 50 Vdc
TA = 25 °C
μA
dc
0.1
0.1
IR2
VR = 50 Vdc
TA =150°C
μA
dc
100
100
C
IR = 0; f = 1 MHz
ac signal = 50 mV (p-P)
pF
2.5
2.5
Trr
IF = IR = 10 to 100 mA dc
RL = 100
Ω
ns
4.0
4.0
Forward Voltage Limits - All Types
VF1
IF = 1 mA dc
Limits
V dc
minimum
maximum
0.540
0.620
V dc
0.660
0.740
VF2
IF = 10 mA dc
VF3
IF = 50 mA dc
(Pulsed)
V dc
0.760
0.860
VF4
IF = 100 mA dc
(Pulsed)
V dc
0.820
0.920
VF5
IF = 200 mA dc
(Pulsed)
V dc
0.870
1.000
Outline Drawing
D
LEADED DESIGN DATA
CASE: DO – 213AA, Hermetically sealed glass case.
(MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH: Tin / Lead
S
G
F
G1
THERMAL RESISTANCE: (R
ӨJEC
): 100 °C/W maximum
THERMAL IMPEDANCE: (Z
ӨJX
): 70 °C/W maximum
POLARITY: Cathode end is banded.
Revision Date: 12/7/2009
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