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SAB10E3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小117KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SAB10E3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,

SAB10E3规格参数

参数名称属性值
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压10 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

SAB10E3相似产品对比

SAB10E3 SAB10
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
包装说明 O-XALF-W2 O-XALF-W2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散 500 W 500 W
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压 10 V 10 V
表面贴装 NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1

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