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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> T-DWN110-18
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T-DWN110-18

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小200KB，共2页
制造商IXYS
标准  
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T-DWN110-18概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER

T-DWN110-18规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
零件包装代码WAFER
包装说明X-XUUC-N
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码X-XUUC-N
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流3800 A
元件数量1
相数1
最大输出电流157 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1800 V
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间35
Base Number Matches1

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