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SKKT250/08D: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 250000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小444KB，共6页; 制造商SEMIKRON; 官网地址http://www.semikron.com; 标准

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SKKT250/08D概述

Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 250000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element

SKKT250/08D规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CUFM-X7
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	150 µs
配置	SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us
最大直流栅极触发电流	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
快速连接描述	2G-2GR
螺丝端子的描述	A-K-AK
最大维持电流	500 mA
JESD-30 代码	R-CUFM-X7
JESD-609代码	e2
最大漏电流	50 mA
通态非重复峰值电流	9000 A
元件数量	2
端子数量	7
最大通态电流	250000 A
最高工作温度	130 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	392.5 A
重复峰值关态漏电流最大值	50000 µA
断态重复峰值电压	800 V
重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

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RSM

RRM

(dv/

DRM

dt)

TRMS

(maximum values for continuous operation)

350 A

420 A

SEMIPACK

Thyristor/ Diode Modules

SKKT 210

SKKT 250

SKMT 250

SKKH 210

SKKH 250

TAV

(sin. 180; T

case

= . . .)

V/µs 220 A (88

°C)

260 A (82

°C)

220 A (88 °C) 260 A (82

°C)

SKKT

210/08 D

–

210/12 E

210/14 E

210/16 E

210/18 E

210/20 E

210/22 E

SKKT

250/08 D

250/12 D

250/12 E

250/14 E

250/16 E

250/18 E

–

SKKH

–

210/12 E

210/14 E

210/16 E

210/18 E

210/20 E

210/22 E

SKKH

–

250/12 E

250/14 E

250/16 E

250/18 E

–

Units

µs

A/µs

µs

mΩ

900

1300

1500

1700

1900

2100

2300

800 500

1200 500

1200 1000

1400 1000

1600 1000

1800 1000

2000 1000

2200 1000

Symbol Conditions

TAV

RMS

TSM

(di/dt)

T(TO)

; I

thjc

thch

stg

isol

Case

sin. 180; (T

case

= ...)

B2/B6

amb

= 35

°C;

W1/W3 P 16/200 F

= 25

°C;

10 ms

= 130

°C;

10 ms

= 25

°C;

8,3 ... 10 ms

= 130

°C;

8,3 ... 10 ms

vj;

= 25

°C;

= 1 A;

/dt = 1 A/µs

= 0,67 . V

DRM

= 130

°C

= 130

°C

= 25

°C

= 25

°C;

= 33

Ω

= 25

°C;

= 750 A

= 130

°C

= 130

°C

= 130

°C;

= V

RRM

= V

DRM

= 25

°C;

d.c.

= 25

°C;

d.c.

= 130

°C;

d.c.

= 130

°C;

d.c.

cont.



sin. 180



per thyristor/

rec. 120

per module

SKKT 210

SKKH 210

210 (90°C)

420/550

526/3 x 440

8500

7500

361 000

281 000

SKKT 250

SKKH 250

250 (85°C)

450/585

566/3 x 471

9000

8000

405 000

320 000

SKKT

SKKH

250

typ. 50 . . . 150

typ. 150; max. 500

typ. 0,3; max. 2

max. 1,5

max. 1,4

0,95

0,925

0,6

0,45

SKMT





a. c. 50 Hz; r.m.s.; 1 s/1 min

to heatsink

SI units

US units

to terminals

SI units

US units

approx.

→

page B 1 – 82

200

0,25

0,14/0,07

°C/W

0,15/0,075

°C/W

0,165/0,083

°C/W

0,04/0,02

°C/W

– 40 ... + 130

°C

– 40 ... + 130

°C

3600/3000

15 %

lb.in.

15 %

lb.in.

5 . 9,81

m/s

940

SKKT: A 25

SKMT 250: A 64

SKKH: A 26

Features

•

Heat transfer through aluminium

nitride ceramic isolated metal

baseplate

•

Precisious metal pressure

contacts for high reliability

•

UL recognized, file no. E 63 532

Typical Applications

•

DC motor control (e. g. for

machine tools)

•

Temperature control (e. g. for

ovens, chemical processes)

•

Professional light dimming

(studios, theaters)

SKMT 250 available on request

See the assembly instructions

The screws must be lubricated

0896

B 1 – 77

SKKT250/08D相似产品对比

	SKKT250/08D	SKKT250/12D	SKKT210/08D	SKKT210/22E
描述	Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 250000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element	Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, CERAMIC, CASE A25, SEMIPACK-7	Silicon Controlled Rectifier, 329.7A I(T)RMS, 210000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element	Silicon Controlled Rectifier, 329.7A I(T)RMS, 210000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 2 Element,
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-CUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-CUFM-X7
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
标称电路换相断开时间	150 µs	150 µs	150 µs	150 µs
配置	SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS	SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS	SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS	SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us	500 V/us	500 V/us	1000 V/us
最大直流栅极触发电流	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V
快速连接描述	2G-2GR	2G-2GR	2G-2GR	2G-2GR
螺丝端子的描述	A-K-AK	A-K-AK	A-K-AK	A-K-AK
最大维持电流	500 mA	500 mA	500 mA	500 mA
JESD-30 代码	R-CUFM-X7	R-XUFM-X7	R-CUFM-X7	R-CUFM-X7
JESD-609代码	e2	e2	e2	e2
最大漏电流	50 mA	50 mA	50 mA	50 mA
通态非重复峰值电流	9000 A	9000 A	8500 A	8500 A
元件数量	2	2	2	2
端子数量	7	7	7	7
最大通态电流	250000 A	250000 A	210000 A	210000 A
最高工作温度	130 °C	130 °C	130 °C	130 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	392.5 A	392.5 A	329.7 A	329.7 A
重复峰值关态漏电流最大值	50000 µA	50000 µA	50000 µA	50000 µA
断态重复峰值电压	800 V	1200 V	800 V	2200 V
重复峰值反向电压	800 V	1200 V	800 V	2200 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR

SKKT250/08D

SKKT250/08D概述

SKKT250/08D规格参数

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