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HB56ZW433D-5: 产品描述EDO DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72; 产品类别存储存储; 文件大小318KB，共24页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56ZW433D-5概述

EDO DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72

HB56ZW433D-5规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DMA
包装说明	DIMM, DIMM72
针数	72
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N72
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM72
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	25.4 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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HB56ZW433D Series

4,194,304-word

32-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-783A (Z)

Rev.1.0

May. 20, 1997

Description

The HB56ZW433D is a 4M

32 dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module

(S.O.DIMM), mounted 8 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W17405) sealed in TSOP package. The

HB56ZW433D offers Extended Data Out (EDO) page mode as a high speed access mode. An outline of

the HB56ZW433D is 72-pin Zig Zag Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, the

HB56ZW433D makes high density mounting possible without surface mount technology. The

HB56ZW433D provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted on the

module board.

Features

•

72-pin Zig Zag Dual tabs socket type



Outline: 59.69 mm (Length)

25.40 mm (Height)

3.80 mm (Thickness)



Lead pitch: 1.27 mm

•

Single 3.3 V (±0.3 V) supply

•

High speed



Access time: t

RAC

= 50/60/70 ns (max)

CAC

= 13/15/18 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 2.88/2.59/2.30 W (max)



Standby mode (TTL): 57.6 mW (max)

(CMOS): 2.88 mW (max) (L-version)

•

EDO page mode capability

•

Refresh period



2048 refresh cycles: 32 ms (HB56ZW433D Series)

128 ms (L-version)

•

4 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh



Hidden refresh



Self refresh (L-version)

HB56ZW433D-5相似产品对比

	HB56ZW433D-5	HB56ZW433D-5L	HB56ZW433D-6	HB56ZW433D-6L	HB56ZW433D-7	HB56ZW433D-7L
描述	EDO DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72	EDO DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72	EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72	EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72	EDO DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, SODIMM-72	EDO DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, SODIMM-72
零件包装代码	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA
包装说明	DIMM, DIMM72	DIMM, DIMM72	DIMM, DIMM72	DIMM, DIMM72	DIMM, DIMM72	DIMM, DIMM72
针数	72	72	72	72	72	72
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns	50 ns	60 ns	60 ns	70 ns	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72	72	72
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM72	DIMM72	DIMM72	DIMM72	DIMM72	DIMM72
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048	2048	2048	2048	2048
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	NO	YES	NO	YES	NO	YES
最大待机电流	0.008 A	0.0008 A	0.008 A	0.0008 A	0.008 A	0.0008 A
最大压摆率	0.8 mA	0.8 mA	0.72 mA	0.72 mA	0.64 mA	0.64 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

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