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1N757

产品描述9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小91KB,共2页
制造商Jinan Jing Heng Electronics
官网地址http://www.jinghenggroup.com/
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1N757概述

9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N757规格参数

参数名称属性值
厂商名称Jinan Jing Heng Electronics
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压9.1 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差10%
工作测试电流20 mA

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R
S E M I C O N D U C T O R
0.5W SILICON PLANAR ZENER DIODES
DO-35
FEATURES
Silicon planar power zener diodes
Standards zener voltage tolerance is +10%.Add suffix "A" for+5%
tolerance, other tolerances are available upon request
0.079(2.0)
MAX
DIA
1.083(27.5)
MIN
0.150(3.8)
MAX
MECHANICAL DATA
Case
:
DO-35 glass case
Polarity:
Color band denotes cathode end
Weight
:
Approx. 0.13 gram
0.020(0.52)
MAX
DIA
1.083(27.5)
MIN
Dimensions in inches and (millimeters)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(LIMITING VALUES)
(T
A
=25 C)
Zener current see table "Characteristics"
Power dissipation at T
A
=50 C
Junction temperature
Storage temperature range
P
tot
T
J
T
STG
500
1)
175
-65 to+175
mW
C
C
1) Valid provided that a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25 C)
Thermal resistance junction to ambient air
Forward voltage at I
F
=200mA
R
JA
300
1)
1.5
C/W
V
F
1) Valid provided that a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature
13-2

 
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