K8C1115EBM-FE1D0,K8C1115EBM-FE1D0 pdf中文资料,K8C1115EBM-FE1D0引脚图,K8C1115EBM-FE1D0电路-Datasheet-电子工程世界

K8C1115EBM-FE1D0: 产品描述Flash, 32MX16, 110ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-167; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共68页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档详细参数全文预览

K8C1115EBM-FE1D0概述

Flash, 32MX16, 110ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-167

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA,
针数	167
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	110 ns
其他特性	BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块	BOTTOM
JESD-30 代码	R-PBGA-B167
长度	14 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	167
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	10.5 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190