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APT25GF100BN

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB,共4页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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APT25GF100BN概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

APT25GF100BN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADPOW
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FAST SWITCHING
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)800 ns
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值147 W
最大功率耗散 (Abs)147 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)130 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)60 ns
标称断开时间 (toff)40 ns
最大开启时间(吨)40 ns
标称接通时间 (ton)20 ns
VCEsat-Max4 V
Base Number Matches1
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