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W332M64V-133BI

产品描述Synchronous DRAM, 32MX64, 5.5ns, CMOS, PBGA219, 25 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219
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文件大小871KB,共14页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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W332M64V-133BI在线购买

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W332M64V-133BI概述

Synchronous DRAM, 32MX64, 5.5ns, CMOS, PBGA219, 25 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219

W332M64V-133BI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数219
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码S-PBGA-B219
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量219
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX64
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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