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BSS123NH6327

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小570KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSS123NH6327概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

BSS123NH6327规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.19 A
最大漏极电流 (ID)0.19 A
最大漏源导通电阻6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)3.1 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

BSS123NH6327相似产品对比

BSS123NH6327 BSS123N
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 All Small Signal n-channel products are suitable for automotive applications (excluding 2N7002).
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