Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.50 X 4 MM, 1 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, PLASTIC PACKAGE-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | FAST |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 600 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 3200 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 1260 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| G450HHBK06P2P | G450HHBK06P2H | |
|---|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.50 X 4 MM, 1 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, PLASTIC PACKAGE-3 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.50 X 4 MM, 1 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 其他特性 | FAST | FAST |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 600 A | 600 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V |
| 配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X3 | R-XUFM-X3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 3200 ns | 3200 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 1260 ns | 1260 ns |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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