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MWS5101ADL3X

产品描述IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC
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文件大小162KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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MWS5101ADL3X概述

IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC

MWS5101ADL3X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间350 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T22
JESD-609代码e0
内存密度1024 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量22
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
最大待机电流0.00005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.008 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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