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FHBAS70-04

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.7A, 70V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共1页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
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FHBAS70-04概述

Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.7A, 70V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

FHBAS70-04规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码SOT-23
包装说明SOT-23, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置COMPLEX
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.41 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流0.1 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.7 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.225 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压70 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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Schottky Diode
Schottky Diode
DESCRIPTION & FEATURES
概述及特點
Low forward voltage
½正向壓降
High breakdown voltage
高反向擊穿電壓
Ultra high-speed switching
超高速開關應用
Protection circuits
保護電路應用
PIN ASSIGNMENT
引腳說明
PIN NAME
PIN NUMBER
引腳序號
管腳符號
SOT-23
A
1
C
2
C/A
3
FHBAS70-04
SOT-23
FUNCTION
功½
Anode
Cathode
Cathode /Anode
1
Anode
3
Cathode/Anode
2
Cathode
MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
最大額定值
CHARACTERISTIC
特性參數
Reverse Voltage
反向電壓
Peak Forward Current
正向峰值電流
Peak Forward Surge Current
正向最大浪湧電流
t≤1s
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
CHARACTERISTIC
特性參數
Total Device Dissipation FR-5 Board(1) T
A
=25℃
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) T
A
=25℃
½耗散功率 氧化鋁襯底
Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度
1.
FR-5=1.0×0.75×0.062in, printed-circuit board.
Symbol
符號
V
R
I
F
I
FM(surge)
Rating
額定值
70
70
100
Unit
單½
Vdc
mAdc
mAdc
Symbol
符號
P
D
P
D
T
J
,
T
stg
Max
最大值
225
300
150,
-55 ~150
Unit
單½
mW
mW
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in, 99.5%alumina
DEVICE MARKING
打標
FHBAS70-04=K2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度為
25℃)
Symbol
Test Condition
Characteristic
特性參數
符號
測試條件
Reverse Voltage Leakage Current
I
R
V
R
=50Vdc
反向漏電流
Reverse Breakdown Voltage
I
BR
=10μAdc
V
(BR)
反向擊穿電壓
I
F
=1mAdc
Forward Voltage
正向電壓
V
F
I
F
=10mAdc
I
F
=15mAdc
Total Capacitance
電容
V
R
=0V,f=1.0MHz
C
T
Min
最小值
70
Type
典型值
Max
最大值
0.1
410
750
1000
2.0
Unit
單½
µA
Vdc
mV
pF
1
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