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FYP2010DN

产品描述20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小43KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FYP2010DN概述

20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

FYP2010DN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性FREEWHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.65 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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FYP2010DN
FYP2010DN
Features
• Low forward voltage drop
• High frequency properties and switching speed
• Guard ring for over-voltage protection
Applications
• Switched mode power supply
• Freewheeling diodes
1
2 3
TO-220
1. Anode 2.Cathode 3. Anode
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25°C unless otherwise noted
°
Symbol
V
RRM
V
R
I
F(AV)
I
FSM
T
J,
T
STG
Parameter
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Maximum DC Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
@ T
C
= 120°C
Non-repetitive Peak Surge Current (per diode)
60Hz Single Half-Sine Wave
Operating Junction and Storage Temperature
Value
100
100
20
150
-65 to +150
Units
V
V
A
A
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R
θJC
Parameter
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case (per diode)
Value
1.7
Units
°C/W
Electrical Characteristics
(per diode)
Symbol
V
FM
*
Parameter
Maximum Instantaneous Forward Voltage
I
F
= 10A
I
F
= 10A
I
F
= 20A
I
F
= 20A
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated V
R
Value
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
0.77
0.65
-
0.75
mA
0.1
20
Units
V
I
RM
*
* Pulse Test: Pulse Width=300µs, Duty Cycle=2%
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, September 2002
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