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HCTS153DMSH

产品描述Multiplexer, HCT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小251KB,共8页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HCTS153DMSH概述

Multiplexer, HCT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16

HCTS153DMSH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknown
系列HCT
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型MULTIPLEXER
最大I(ol)0.004 A
功能数量2
输入次数4
输出次数1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出极性TRUE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup43 ns
传播延迟(tpd)58 ns
认证状态Not Qualified
筛选级别38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量1M Rad(Si) V
Base Number Matches1

HCTS153DMSH相似产品对比

HCTS153DMSH HCTS153KMSH
描述 Multiplexer, HCT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16 Multiplexer, HCT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDFP16
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Harris Harris
包装说明 DIP, DIP16,.3 DFP, FL16,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
系列 HCT HCT
JESD-30 代码 R-CDIP-T16 R-CDFP-F16
JESD-609代码 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 MULTIPLEXER MULTIPLEXER
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A
功能数量 2 2
输入次数 4 4
输出次数 1 1
端子数量 16 16
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
输出极性 TRUE TRUE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DFP
封装等效代码 DIP16,.3 FL16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 43 ns 43 ns
传播延迟(tpd) 58 ns 58 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V

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