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KM6264B-12

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
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文件大小223KB,共10页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM6264B-12概述

Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

KM6264B-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
长度36.325 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

KM6264B-12相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOP-28 Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOP-28 Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 DIP DIP SOIC DIP DIP SOIC DIP DIP
包装说明 DIP, DIP, DIP28,.3 SOP, SOP28,.5 DIP, DIP28,.3 DIP, SOP, SOP28,.5 DIP, DIP28,.3 DIP,
针数 28 28 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 120 ns 120 ns 70 ns 100 ns 70 ns 100 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28
长度 36.325 mm 34.415 mm 18.29 mm 34.415 mm 36.325 mm 18.29 mm 34.415 mm 36.325 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP SOP DIP DIP SOP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 3 mm 5.08 mm 5.08 mm 3 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES NO NO YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 15.24 mm 7.62 mm 8.38 mm 7.62 mm 15.24 mm 8.38 mm 7.62 mm 15.24 mm
是否无铅 - 含铅 含铅 含铅 - 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 -
I/O 类型 - COMMON COMMON COMMON - COMMON COMMON -
JESD-609代码 - e0 e0 e0 - e0 e0 -
封装等效代码 - DIP28,.3 SOP28,.5 DIP28,.3 - SOP28,.5 DIP28,.3 -
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 - 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V -
最大待机电流 - 0.002 A 0.001 A 0.002 A - 0.001 A 0.002 A -
最小待机电流 - 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V -
最大压摆率 - 0.045 mA 0.045 mA 0.055 mA - 0.045 mA 0.045 mA -
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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