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M36W108AB120ZN6

产品描述SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, LGA-48
产品类别存储    存储   
文件大小252KB,共36页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M36W108AB120ZN6概述

SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, LGA-48

M36W108AB120ZN6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码LGA
包装说明LGA-48
针数48
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间120 ns
其他特性ALSO CONTAINS 128K X 8 SRAM
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度8
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VLGA
封装等效代码LGA48,6X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BUTT
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度9.8 mm
Base Number Matches1

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