Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUZ271-E3045

BUZ271-E3045: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小136KB，共6页; 制造商SIEMENS; 官网地址http://www.infineon.com/

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BUZ271-E3045概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN

BUZ271-E3045规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SIEMENS
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	200 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V
最大漏极电流 (ID)	22 A
最大漏源导通电阻	0.15 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	375 pF
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	88 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	365 ns
最大开启时间（吨）	225 ns
Base Number Matches	1

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BUZ271-E3045相似产品对比

	BUZ271-E3045	BUZ271-E3044	BUZ271-E3046
描述	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN
厂商名称	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	200 mJ	200 mJ	200 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V	50 V	50 V
最大漏极电流 (ID)	22 A	22 A	22 A
最大漏源导通电阻	0.15 Ω	0.15 Ω	0.15 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	375 pF	375 pF	375 pF
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	2	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W	125 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	88 A	88 A	88 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	NO
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	365 ns	365 ns	365 ns
最大开启时间（吨）	225 ns	225 ns	225 ns

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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