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HD74HC670RP-ER

产品描述Memory Circuit, 4X4, CMOS, PDSO16, SOP-16
产品类别存储    存储   
文件大小86KB,共3页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HD74HC670RP-ER概述

Memory Circuit, 4X4, CMOS, PDSO16, SOP-16

HD74HC670RP-ER规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOIC
包装说明SOP,
针数16
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PDSO-G16
长度9.9 mm
内存密度16 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度4
功能数量1
端子数量16
字数4 words
字数代码4
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4X4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

HD74HC670RP-ER相似产品对比

HD74HC670RP-ER HD74HC670FP-ER
描述 Memory Circuit, 4X4, CMOS, PDSO16, SOP-16 Memory Circuit, 4X4, CMOS, PDSO16, EIAJ, SOP-16
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP,
针数 16 16
Reach Compliance Code unknown unknown
JESD-30 代码 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16
长度 9.9 mm 10.06 mm
内存密度 16 bit 16 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 4 4
功能数量 1 1
端子数量 16 16
字数 4 words 4 words
字数代码 4 4
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 4X4 4X4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 2.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 3.9 mm 5.5 mm
Base Number Matches 1 1
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