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CMBD1203: 产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小326KB，共4页; 制造商Rectron Semiconductor; 官网地址http://www.rectron.com/; 标准

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CMBD1203概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMBD1203规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Rectron Semiconductor
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.215 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	265
最大功率耗散	0.4 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	75 V
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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SMALL SIGNAL DIODE

CMBD1201

THUE

CMDB1205

VOLTAGE RANGE 75 Volts CURRENT 215 mAmpere

FEATURES

Compact surface mount with same foot print as mini-melf

High Breakdown Voltage

Fast Switching Speed

400mW Power Dissipation

General Purpose Switching Applications

High Conductance

0.055(1.40)

0.047(1.20)

SOT-23

MECHANICAL DATA

0.006(0.14)

0.004(0.09)

0.028(0.70)

0.020(0.50)

0.046(1.15)

0.035(0.90)

0.005(0.12)

0.001(0.02)

Case: Molded plastic

Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant

Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed

Mounting position: Any

Weight: 0.01 gram

0.019(0.48)

0.015(0.38)

0.102(2.60)

0.094(2.40)

0.079(2.00)

0.071(1.80)

0.110(2.80)

0.118(3.00)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS (@ T

=25

C unless otherwise noted)

RATINGS

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum R epetitive Peak Reverse Voltage

Maximum Working Peak reverse Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum Forward Comtinuous Current

Maximum Average Forward Rectified Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

Typical Reverse Recovery Time

Typical Junction Capacitance

Typical Thermal Resistance

Operating and Storage Temperature Range

@t=1.0uS

@t=1.0mS

@t=1.0S

SYMBOL

RRM

RWM

RMS

FSM

Trr

qJA

, T

STG

CMBD1201/1202/1203/1204/1205

100

500

215

4.0

1.0

0.5

500

-65 to + 150

UNITS

Volts

mAmps

Amps

K/W

UNITS

Volts

nAmps

uAmps

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@T =25

C unless otherwise noted)

SYMBOL

CHARACTERISTICS

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@IF=10mA

@IF=200mA

@VR=20V

@VR=75V

@VR=25V,Tj=150 C

CMBD1201/1202/1203/1204/1205

0.855

1.05

Maximum Instantaneous Reverse Current

VD 2008-8

REV: O

CMBD1203相似产品对比

	CMBD1203	CMBD1204	CMBD1204-T
描述	Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	Rectifier Diode,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
Base Number Matches	1	1	1
是否无铅	不含铅	不含铅	-
是否Rohs认证	符合	符合	-
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3	PLASTIC PACKAGE-3	-
针数	3	3	-
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-
JESD-609代码	e3	e3	-
元件数量	2	2	-
端子数量	3	3	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	-
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-
最大输出电流	0.215 A	0.215 A	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
峰值回流温度（摄氏度）	265	265	-
最大功率耗散	0.4 W	0.4 W	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
最大重复峰值反向电压	75 V	75 V	-
最大反向恢复时间	0.004 µs	0.004 µs	-
表面贴装	YES	YES	-
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-
端子形式	GULL WING	GULL WING	-
端子位置	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
Is Samacsys	-	N	N

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