IC 4K X 8 UVPROM, 550 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | WDIP, DIP24,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 550 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 32768 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.715 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| NMC27C32H-55 | NMC27C32BQ120 | NMC27C32-35 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC 4K X 8 UVPROM, 550 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM | IC,EPROM,4KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC | IC 4K X 8 UVPROM, 350 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | WDIP, DIP24,.6 | DIP, DIP24,.6 | WDIP, DIP24,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown |
| 最长访问时间 | 550 ns | 120 ns | 350 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 | R-XDIP-T24 | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 32768 bit | 32768 bit | 32768 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | UVPROM | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 24 |
| 字数 | 4096 words | 4096 words | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 | 4000 | 4000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4KX8 | 4KX8 | 4KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | WDIP | DIP | WDIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 | DIP24,.6 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW | IN-LINE | IN-LINE, WINDOW |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | - | National Semiconductor（TI ） |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 5.715 mm | - | 5.715 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | - | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.01 mA | - | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | - | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | - | 4.75 V |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | - | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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