5962-9090501M2A放大器基础信息:
5962-9090501M2A是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为QCC-20
5962-9090501M2A放大器核心信息:
5962-9090501M2A的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:20 µA
厂商给出的5962-9090501M2A的最大压摆率为9 mA,而最小压摆率为600 V/us。
5962-9090501M2A的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。5962-9090501M2A的输入失调电压为5000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
5962-9090501M2A的相关尺寸:
5962-9090501M2A拥有20个端子.其端子位置类型为:QUAD。端子节距为1.27 mm。共有针脚:20
5962-9090501M2A放大器其他信息:
5962-9090501M2A采用了CURRENT-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。5962-9090501M2A的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。其对应的的JESD-30代码为:S-CQCC-N20。
其对应的的JESD-609代码为:e0。5962-9090501M2A的封装代码是:QCCN。5962-9090501M2A封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为SQUARE。5962-9090501M2A封装引脚的形式有:CHIP CARRIER。
其端子形式有:NO LEAD。
5962-9090501M2A放大器基础信息:
5962-9090501M2A是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为QCC-20
5962-9090501M2A放大器核心信息:
5962-9090501M2A的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:20 µA
厂商给出的5962-9090501M2A的最大压摆率为9 mA,而最小压摆率为600 V/us。
5962-9090501M2A的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。5962-9090501M2A的输入失调电压为5000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
5962-9090501M2A的相关尺寸:
5962-9090501M2A拥有20个端子.其端子位置类型为:QUAD。端子节距为1.27 mm。共有针脚:20
5962-9090501M2A放大器其他信息:
5962-9090501M2A采用了CURRENT-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。5962-9090501M2A的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。其对应的的JESD-30代码为:S-CQCC-N20。
其对应的的JESD-609代码为:e0。5962-9090501M2A的封装代码是:QCCN。5962-9090501M2A封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为SQUARE。5962-9090501M2A封装引脚的形式有:CHIP CARRIER。
其端子形式有:NO LEAD。
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
零件包装代码 | QLCC |
包装说明 | QCC-20 |
针数 | 20 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | CURRENT-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 20 µA |
标称共模抑制比 | 60 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 5000 µV |
JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
JESD-609代码 | e0 |
低-失调 | NO |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 20 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN |
封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
最小摆率 | 600 V/us |
最大压摆率 | 9 mA |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
Base Number Matches | 1 |
5962-9090501M2A | OP160AZ | |
---|---|---|
描述 | IC OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, CQCC20, QCC-20, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, CDIP8, HERMETIC SEALED, CERDIP-8, Operational Amplifier |
厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
零件包装代码 | QLCC | DIP |
包装说明 | QCC-20 | HERMETIC SEALED, CERDIP-8 |
针数 | 20 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | CURRENT-FEEDBACK | CURRENT-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 20 µA | 20 µA |
标称共模抑制比 | 60 dB | 65 dB |
频率补偿 | YES | YES |
最大输入失调电压 | 5000 µV | 5000 µV |
JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
低-失调 | NO | NO |
负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 20 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | QCCN | DIP |
封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP8,.3 |
封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
电源 | +-15 V | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最小摆率 | 600 V/us | 1000 V/us |
最大压摆率 | 9 mA | 8 mA |
供电电压上限 | 18 V | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
表面贴装 | YES | NO |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | QUAD | DUAL |
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