5962R8771002V9A放大器基础信息：
5962R8771002V9A是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, DIE OR CHIP
5962R8771002V9A放大器核心信息：
5962R8771002V9A的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.06 µA他的最大平均偏置电流为0.001 µA
其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962R8771002V9A增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。5962R8771002V9A的功率为NO。其可编程功率为NO。
5962R8771002V9A的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为。5962R8771002V9A的输入失调电压为4000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962R8771002V9A的宽度为：6.12 mm。
5962R8771002V9A的相关尺寸：
5962R8771002V9A拥有10个端子.其端子位置类型为：UPPER。端子节距为1.27 mm。共有针脚：10
5962R8771002V9A放大器其他信息：
5962R8771002V9A采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962R8771002V9A的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其不属于微功率放大器。其对应的的JESD-30代码为：R-XUUC-N。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962R8771002V9A的封装代码是：DIE。5962R8771002V9A封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。
而其封装形状为RECTANGULAR。5962R8771002V9A封装引脚的形式有：UNCASED CHIP。其端子形式有：NO LEAD。座面最大高度为2.33 mm。
5962R8771002V9A放大器基础信息：
5962R8771002V9A是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIE, DIE OR CHIP
5962R8771002V9A放大器核心信息：
5962R8771002V9A的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.06 µA他的最大平均偏置电流为0.001 µA
其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962R8771002V9A增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。5962R8771002V9A的功率为NO。其可编程功率为NO。
5962R8771002V9A的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为。5962R8771002V9A的输入失调电压为4000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962R8771002V9A的宽度为：6.12 mm。
5962R8771002V9A的相关尺寸：
5962R8771002V9A拥有10个端子.其端子位置类型为：UPPER。端子节距为1.27 mm。共有针脚：10
5962R8771002V9A放大器其他信息：
5962R8771002V9A采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962R8771002V9A的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其不属于微功率放大器。其对应的的JESD-30代码为：R-XUUC-N。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962R8771002V9A的封装代码是：DIE。5962R8771002V9A封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。
而其封装形状为RECTANGULAR。5962R8771002V9A封装引脚的形式有：UNCASED CHIP。其端子形式有：NO LEAD。座面最大高度为2.33 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | DIE, DIE OR CHIP |
| 针数 | 10 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.06 µA |
| 标称共模抑制比 | 70 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 4000 µV |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 负供电电压上限 | |
| 标称负供电电压 (Vsup) | |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIE |
| 封装等效代码 | DIE OR CHIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 功率 | NO |
| 电源 | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 2.33 mm |
| 供电电压上限 | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | UPPER |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 6.12 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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