SDF150NA40HEZU1Z,SDF150NA40HEZU1Z pdf中文资料,SDF150NA40HEZU1Z引脚图,SDF150NA40HEZU1Z电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SDF150NA40HEZU1Z

SDF150NA40HEZU1Z: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 400V, 0.2ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小67KB，共1页; 制造商Solitron Devices Inc

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SDF150NA40HEZU1Z概述

Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 400V, 0.2ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

SDF150NA40HEZU1Z规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Solitron Devices Inc
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MDFM-T12
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接	ISOLATED
配置	COMPLEX
最小漏源击穿电压	400 V
最大漏极电流 (ID)	150 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MDFM-T12
元件数量	6
端子数量	12
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	1250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	600 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	219 ns
最大开启时间（吨）	173 ns
Base Number Matches	1

SDF150NA40HEZU1Z相似产品对比

	SDF150NA40HEZU1Z	SDF150NA40HEWU1Z	SDF150NA40HEEU1B	SDF150NA40HEZU1B	SDF150NA40HEWU1B	SDF150NA40HEEU1Z
描述	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 400V, 0.2ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 400V, 0.2ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 400V, 0.2ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 400V, 0.2ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 400V, 0.2ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 400V, 0.2ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Solitron Devices Inc	Solitron Devices Inc	Solitron Devices Inc	Solitron Devices Inc	Solitron Devices Inc	Solitron Devices Inc
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MDFM-T12	FLANGE MOUNT, R-MDFM-T12	FLANGE MOUNT, R-MDFM-T12	FLANGE MOUNT, R-MDFM-T12	FLANGE MOUNT, R-MDFM-T12	FLANGE MOUNT, R-MDFM-T12
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	COMPLEX	COMPLEX	COMPLEX	COMPLEX	COMPLEX	COMPLEX
最小漏源击穿电压	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V	400 V
最大漏极电流 (ID)	150 A	150 A	150 A	150 A	150 A	150 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MDFM-T12	R-MDFM-T12	R-MDFM-T12	R-MDFM-T12	R-MDFM-T12	R-MDFM-T12
元件数量	6	6	6	6	6	6
端子数量	12	12	12	12	12	12
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	1250 W	1250 W	1250 W	1250 W	1250 W	1250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	600 A	600 A	600 A	600 A	600 A	600 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	219 ns	219 ns	219 ns	219 ns	219 ns	219 ns
最大开启时间（吨）	173 ns	173 ns	173 ns	173 ns	173 ns	173 ns
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

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